361 |
102-2
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教學計畫表
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化材一碩士班:高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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362 |
102-1
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教學計畫表
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共同科-工:節能照明技術 TGEXB0E3405 0A
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363 |
102-1
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教學計畫表
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化材四:專題研究 TEDXB4T0136 0A
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364 |
101-2
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教學計畫表
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化材四:專題研究 TEDXB4T0136 0F
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365 |
102-1
|
教學計畫表
|
化材四:半導體製程概論 TEDXB4E1864 0P
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366 |
102-1
|
教學計畫表
|
榮譽專業-工:綠能科技新知 TGEHB0E3416 0B
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367 |
101-2
|
教學計畫表
|
共同科-工:綠能科技新知 TGEXB0E3416 0B
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368 |
101-2
|
教學計畫表
|
共同科-工:綠能科技新知 TGEXB0E3416 0A
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369 |
101-1
|
研究獎勵
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Fabrication of vertical thin-GaN light-emitting diode by low-temperature Cu/Sn/Ag wafer bonding
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370 |
101-1
|
研究獎勵
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Characterization study of GaN-based epitaxial layer and light-emitting diode on nature-patterned sapphire substrate
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371 |
101-2
|
教學計畫表
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化材四:專題研究 TEDXB4T0136 2E
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372 |
101-2
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教學計畫表
|
化材一碩士班:高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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373 |
101-2
|
教學計畫表
|
化材一:全球科技革命 TEDXB1H0003 0C
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374 |
101-2
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教學計畫表
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化材一:資訊概論 TEDXB1E1034 2P
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375 |
101-2
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教學計畫表
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化材一:資訊概論 TEDXB1E1034 2A
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376 |
101-1
|
研發處: 研究計畫 (國科會)
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具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二級體元件製作(II)-子計畫三:新型基板轉移技術應用於垂直式發光二極體元件之研究(II)
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377 |
100-1
|
研究獎勵
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Optical properties of self assembled GaN polarity inversion domain boundary
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378 |
101-1
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論文指導
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化材一碩士班 陳洛嶙
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379 |
101-1
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論文指導
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化材一碩士班 趙思涵
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380 |
101-1
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教學計畫表
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化材一:資訊概論 TEDXB1E1034 1P
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381 |
101-1
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教學計畫表
|
化材一:資訊概論 TEDXB1E1034 1A
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382 |
101-1
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教學計畫表
|
共同科-工:材料科學 TGEXB0E0182 0A
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383 |
101-1
|
教學計畫表
|
化材一碩士班:高等化工熱力學 TEDXM1E1235 0A
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384 |
100-2
|
教學計畫表
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化材一碩士班:專題討論 TEDXM1T0140 2A
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385 |
100-2
|
教學計畫表
|
化材一:資訊概論 TEDXB1E1034 2P
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386 |
100-2
|
教學計畫表
|
化材一:資訊概論 TEDXB1E1034 2A
|
387 |
100-2
|
教學計畫表
|
化材一碩士班:高等固態物理與化學 TEDXM1E2770 0A
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388 |
100-2
|
教學計畫表
|
化材一:全球科技革命 TEDXB1H0003 0C
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389 |
100-1
|
研發處: 研究計畫 (國科會)
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具有奈米級微結構表面之高亮度垂直式氮化鎵發光二極體元件製作-子計畫三:新型基板轉移技術應用於垂直式發光二極體元件之研究(I)
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390 |
100-1
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論文指導
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化材一碩士班 羅瑛蕙
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