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教師資料查詢 | 教師:薛宏中

# 學年期 類別 標題
278 85-1 期刊論文 Pressure-induced electron transfer in quasi-molecular solids
279 85-1 期刊論文 Low-frequency dynamics of liquid crystals
280 82-2 期刊論文 Nearest-neighbour heuristics in accelerated algorithms of optimisation problems
292 104-1 赴校外學術交流 受邀參加 The 9th International Conference on Inelastic X-ray Scattering
293 102-2 赴校外學術交流 主辦 ISEAS-5 international workshop
294 103-2 赴校外學術交流 受邀參加 accms8 international conference
281 82-2 期刊論文 A new methodology of simulated annealing for the optimisation problems
282 104-1 研究獎勵 Understanding of sub-band gap absorption of femtosecond-laser sulfur hyperdoped silicon using synchrotron-based techniques
283 105-1 教學計畫表 物理系應物一:普通物理 TSPBB1S0290 1A
284 105-1 教學計畫表 物理系光電三:電子學實驗 TSPCB3S0704 1A
285 105-1 教學計畫表 物理一碩士班:光電材料模擬 TSPXM1S0771 0A
286 105-1 教學計畫表 自然科學學門:科學之旅 TNUUB0T2166 0A
287 105-1 研發處: 研究計畫 (國科會) 第一原理光譜計算之發展與應用 (I)(2/3)
288 104-1 參與學術服務 擔任 NCTS Thematic Group (New Quantum Materials and Transport) Core Member
289 102-2 赴校外學術交流 參加 2014 CMRFG Summer Meeting
290 103-2 赴校外學術交流 參加 2015 Summer School on First-principles Computational Materials Research -Advance Level 並授課
291 99-2 赴校外學術交流 受邀參加MRS Spring Meeting 2011
295 104-1 赴校外學術交流 參加18th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations
296 104-1 赴校外學術交流 前往UC Berkeley訪問雷干城(Steven G. Louie)院士並進行國際合作交流
297 104-1 赴校外學術交流 參加 Psi-k 2015 Conference
298 102-1 赴校外學術交流 受邀參加16th Asian Workshop on First-Principles Electronic Structure Calculations
299 104-1 赴校外學術交流 受邀參加 NCTS Annual Theory Meeting 2015: Condensed Matter Physics
300 104-2 赴校外學術交流 參加 NCTS Workshop on Time-Dependent Density Functional Theory and Excited State Properties of Solids
271 105-2 教學計畫表 物理系應物三:凝態物理概論 TSPBB3S0869 0A
272 105-2 教學計畫表 物理系應物一:普通物理 TSPBB1S0290 2A
273 105-2 教學計畫表 自然科學學門:科學之旅 TNUUB0T2166 0A
274 105-2 教學計畫表 物理系光電三:電子學實驗 TSPCB3S0704 2A
275 105-1 教學研習 如何準備一場科普演講-以外星人為例(2016-12-13 12:00:00 ~ 13:00:00)
276 83-2 期刊論文 High-pressure effects in the layered semiconductor germanium selenide
277 84-2 期刊論文 Vibrational properties of the layered semiconductor germanium sulfide under hydrostatic pressure: Theory and experiment