教師資料查詢 | 類別: 會議論文 | 教師: 鄭國興 CHENG KUO-HSING (瀏覽個人網頁)

標題:MOS Charge Pump for Sub-2.0V Operation
學年
學期
發表日期2002/08/12
作品名稱MOS Charge Pump for Sub-2.0V Operation
作品名稱(其他語言)
著者Cheng, Kuo-Hsing; Chang, Chung-Yu
作品所屬單位淡江大學電機工程學系
出版者
會議名稱2002年超大型積體電路設計暨計算機輔助設計技術研討會=2002 VLSI Design/CAD Symposium
會議地點臺東市, 臺灣
摘要A new charge-pump circuit is proposed in this paper. Two major factors limiting the charge pump gain and efficiency, are the threshold voltage drop and body effect. In this paper, the positive charge- pump circuit uses the charge transfer switches and floating well; therefore, it can reduce the threshold voltage drop and the body effect problems. Due to the new circuit scheme, the proposed charge- pump circuit can be used in a conventional n-well CMOS process for low supply voltage and have high charge pump gain and efficiency.
關鍵字電荷泵激;低電壓;臨界電壓;互補式金氧半導體;Charge Pumping;Low Voltage;Threshold Voltage;Cmos
語言英文
收錄於
會議性質國內
校內研討會地點
研討會時間20020812~20020815
通訊作者
國別中華民國
公開徵稿Y
出版型式紙本
出處2002年超大型積體電路設計暨計算機輔助設計技術研討會論文集=Proceedings of of the 2002 VLSI Design/CAD Symposium頁125-128
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