| 超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜之場發射特性研究(I) | |
|---|---|
| 學年 | 92 |
| 學期 | 1 |
| 出版（發表）日期 | 2004-01-01 |
| 作品名稱 | 超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜之場發射特性研究(I) |
| 作品名稱（其他語言） | Studies on Electron Field Properties of Ultra Nano-Crystalline Diamond (UNCD) Films(I) |
| 著者 | 林諭男 |
| 單位 | 淡江大學物理學系 |
| 描述 | 計畫編號：NSC93-2112-M032-010 研究期間：200408~200507 研究經費：1,999,000 |
| 委託單位 | 行政院國家科學委員會 |
| 摘要 | 「超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜」之特性是鑽石晶粒小於50 nm，且sp2-鍵結之含量必須小於5%。它擁有鑽石薄膜之各種優越特性，但是薄膜表面非常光滑，且製程溫度低於攝氏500度，與矽半導體元件製程相容，具有無限的應用潛力。 本子計劃「超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜之場發射特性研究」目標在探討具有超奈米晶粒，即晶粒小於50 nm，之鑽石薄膜的合成技術及其場發射特性:為改進傳統氣相合成法(CVD)合成鑽石薄膜的二個困難－即孕核不易與晶粒成長過快－本研究將利用雷射剝鍍法先在矽基板上形成sp3之碳原子團(cluster)作為奈米晶粒鑽石之孕核晶種，利用高密度晶核抑制大顆晶粒之形成。並在成長期間施加偏壓及嚴格控制氣體成分避免晶粒成長，探討超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜之成長機制。除此之外，將利用硼(或氮)的添加，增加奈米微晶鑽石之導電率，以改進其場發射特性，探討「超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜」之電子場發射機制，開發超奈米微晶鑽石(UNCD)薄膜之場發射電子源。 |
| 關鍵字 | 超奈米微晶鑽石薄膜;場發射特性 |
| 語言 | |
| 相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/5266 ) |
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