教師資料查詢 | 類別: 研究報告 | 教師: 趙崇禮 CHAO CHOUNG-LII (瀏覽個人網頁)

標題:矽晶圓精密背磨技術之研發及其加工表面性狀分析
學年
學期
出版(發表)日期2004/01/01
作品名稱矽晶圓精密背磨技術之研發及其加工表面性狀分析
作品名稱(其他語言)A Study of Back-Grinding of Silicon Wafer and the Integrity of the Machined Surface
著者趙崇禮; 陳大同; 馬廣仁
單位淡江大學機械與機電工程學系
描述計畫編號NSC93-2212-E032-014;研究期間200408~200507;研究經費538,000
委託單位行政院國家科學委員會
摘要隨著矽晶圓之尺寸由8」(200mm)進入12」(300mm)時代其相關之規格(粗糙度、TTV、 平面度等)卻因製程要求反而更趨嚴格。也因此傳統製程中之研磨、拋光、腐蝕、拋光等加 工方式已難以滿足這些新的規格要求。除了因晶圓尺寸增加之加工困難度外,由於對半導 元件之額定操作功率(operation power level)需求亦日益向上提高,這將使元件之散熱問題變 得極為重要。為增進元件之散熱在元件製程後一般需將晶圓背薄(Back-thinning)以減低其熱 阻(thermal resist) 。例如smart-card 必須將晶圓基板打薄至100~180μm 未來將晶圓打薄至 100μm 以下必將成為製程中不可或缺之一環。目前常用之晶圓打薄方式有化學腐蝕 (chemical etching) 、電漿腐蝕(plasma etching)及機械式之背磨(back-grinding)及背拋 (back-polishing)等方法,而其中又以背磨(back-grinding)/背拋(back-polishing)因其成本低效 率高最常被採用。然而機械式之背磨法因必須使用機械應力造成材料去除故常會造成刮痕 (scratches) 、裂痕(cracks) 、微脆裂(micro-chipping)及次表面變質層(sub-surface damaged layer) 。因矽晶圓之背薄(Back-thinning)加工與加工空白矽晶圓加工最大的不同之處在進入 背磨加工之矽晶圓其正面已滿佈經過繁複製程而完成價格昂貴之電子元件;一但加工失敗 其所造成之損失與空白矽晶圓相去遠矣。 本研究將以樹脂鑽石砂輪及ELID輪磨分粗磨、精磨對晶圓進行精密背磨(Bach-grinding) 加工並對相關加工參數與加工表面/次表面間之關聯性進行探討以期對提升加工品質及背磨 至100μm 以內之規格提出一加工對策。
關鍵字超精密加工;背磨加工;矽晶圓;ELID 線上削銳精密輪磨;表面性狀
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