專利
| 學年 | 94 |
|---|---|
| 學期 | 2 |
| 專利開始日期 | 2006-07-11 |
| 專利結束日期 | 2006-07-11 |
| 作品名稱 | 多晶矽薄膜電晶體離子感測裝置與製作方法 |
| 作品名稱（其他語言） | |
| 著者 | 蔡子萱; 吳永富 |
| 單位 | 淡江大學化學工程與材料工程學系 |
| 著錄名稱、卷期、頁數 | |
| 描述 | 專利類型：發明 專利國別：中華民國 專利公開/公告號：I258173 專利申請號：093130475 國際分類號：H01L-021/02 專利權期間：20060711~20241007 |
| 摘要 | 本發明係提供一種多晶矽薄膜電晶體離子感測裝置與製作方法，該多晶矽薄膜電晶體離子感測裝置，其係形成於一玻璃基板上，該感測裝置其係包括有：一離子感測部以及一訊號處理顯示器。該離子感測部，其係形成於該玻璃基板之上，該離子感測部其更包括有複數個離子感測器。該訊號處理顯示器，其係形成於該玻璃基板之上，並與該離子感測部作電性連接。該訊號處理顯示器其係更具有一訊號處理電路、一驅動電路以及一顯示區。其中，該離子感測部以及該訊號處理顯示器，可使用低溫多晶矽薄膜電晶體製程整合形成於該玻璃基板上，以形成一體成型、輕薄化、微小化以及低成本之產品，並且達到可攜帶與可拋棄的效果。 |
| 關鍵字 | |
| 語言 | zh_TW |
| 相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/53823 ) |