| MOS Charge Pump for Sub-2.0V Operation | |
|---|---|
| 學年 | 91 |
| 學期 | 1 |
| 發表日期 | 2002-08-12 |
| 作品名稱 | MOS Charge Pump for Sub-2.0V Operation |
| 作品名稱（其他語言） | |
| 著者 | Cheng, Kuo-Hsing; Chang, Chung-Yu |
| 作品所屬單位 | 淡江大學電機工程學系 |
| 出版者 | |
| 會議名稱 | 2002年超大型積體電路設計暨計算機輔助設計技術研討會=2002 VLSI Design/CAD Symposium |
| 會議地點 | 臺東市, 臺灣 |
| 摘要 | A new charge-pump circuit is proposed in this paper. Two major factors limiting the charge pump gain and efficiency, are the threshold voltage drop and body effect. In this paper, the positive charge- pump circuit uses the charge transfer switches and floating well; therefore, it can reduce the threshold voltage drop and the body effect problems. Due to the new circuit scheme, the proposed charge- pump circuit can be used in a conventional n-well CMOS process for low supply voltage and have high charge pump gain and efficiency. |
| 關鍵字 | 電荷泵激;低電壓;臨界電壓;互補式金氧半導體;Charge Pumping;Low Voltage;Threshold Voltage;Cmos |
| 語言 | en |
| 收錄於 | |
| 會議性質 | 國內 |
| 校內研討會地點 | |
| 研討會時間 | 20020812~20020815 |
| 通訊作者 | |
| 國別 | TWN |
| 公開徵稿 | Y |
| 出版型式 | 紙本 |
| 出處 | 2002年超大型積體電路設計暨計算機輔助設計技術研討會論文集=Proceedings of of the 2002 VLSI Design/CAD Symposium，頁125-128 |
| 相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/95893 ) |
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