II-VI族半導體光電材料之研究與開發 | |
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學年 | 88 |
學期 | 1 |
出版(發表)日期 | 2000-01-01 |
作品名稱 | II-VI族半導體光電材料之研究與開發 |
作品名稱(其他語言) | The Study and Develop of II-VI Semiconductor Opto-Electronic Material |
著者 | 鄭振益 |
單位 | 淡江大學物理學系 |
描述 | 計畫編號:NSC89-2112-M032-009 研究期間:199908~200007 研究經費:865,000 |
委託單位 | 行政院國家科學委員會 |
摘要 | |
關鍵字 | 熱壁式磊晶系統;光雷材料;量子井;量子線;量子點;Hot-wall epitaxy;Opto-electronic material;Quantum wells;Quantum wires;Quantum dots |
語言 | |
相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/5206 ) |