會議論文
學年 | 94 |
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學期 | 1 |
發表日期 | 2005-11-25 |
作品名稱 | 反應離子蝕刻與感應耦合電漿加工化學氣相沉積鑽石薄膜之研究 |
作品名稱(其他語言) | |
著者 | 簡川于; 黃帥文; 周文成; 趙崇禮 |
作品所屬單位 | 淡江大學機械與機電工程學系 |
出版者 | |
會議名稱 | 中國機械工程學會第二十二屆全國學術研討會 |
會議地點 | 臺北市, 臺灣 |
摘要 | 本研究除以反應離子蝕刻(RIE)與感應耦合電漿(ICP)來加工CVD 鑽石薄膜(蝕刻氣體為O2),另外同時也利用Plasma在大氣、室溫下預處理鑽石薄膜表面,再進行RIE和ICP蝕刻。研究結果顯示CVD鑽石薄膜經由RIE和 ICP處理後,表面結構有明顯蝕刻及改質的現象,這些物質根據拉曼頻譜分析為非晶鑽成分。而使用電漿前處理然後再經過RIE與ICP處理的鑽石薄膜更可以於短時間內造成表面改質及降低表面粗糙度(從Ra~1.43um 到Ra~0.26um)。實驗中並同時探討加工中的一些參數,如氣體種類、加工時間、RIE 與ICP 功率大小與鑽石薄膜表面拋光結果之關係,再分別以掃描式電子顯微鏡SEM(Scanning Electron Microscopy)、Raman 光譜儀與α-Step觀察、測量鑽石膜加工後之表面形貌變化與結構組織。 |
關鍵字 | CVD鑽石薄膜;反應離子蝕刻;感應耦合電漿 |
語言 | zh_TW |
收錄於 | |
會議性質 | 國內 |
校內研討會地點 | |
研討會時間 | 20051125~20051126 |
通訊作者 | |
國別 | TWN |
公開徵稿 | Y |
出版型式 | 紙本 |
出處 | 中國機械工程學會第二十二屆全國學術研討會論文集,5頁 |
相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/96468 ) |