研究報告
| 學年 | 88 |
|---|---|
| 學期 | 1 |
| 出版（發表）日期 | 2000-01-01 |
| 作品名稱 | II-VI族半導體光電材料之研究與開發 |
| 作品名稱（其他語言） | The Study and Develop of II-VI Semiconductor Opto-Electronic Material |
| 著者 | 鄭振益 |
| 單位 | 淡江大學物理學系 |
| 描述 | 計畫編號：NSC89-2112-M032-009 研究期間：199908~200007 研究經費：865,000 |
| 委託單位 | 行政院國家科學委員會 |
| 摘要 | |
| 關鍵字 | 熱壁式磊晶系統;光雷材料;量子井;量子線;量子點;Hot-wall epitaxy;Opto-electronic material;Quantum wells;Quantum wires;Quantum dots |
| 語言 | |
| 相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/5206 ) |