研究報告
| 學年 | 93 |
|---|---|
| 學期 | 1 |
| 出版（發表）日期 | 2005-01-01 |
| 作品名稱 | 簡易超寬頻微波基板材料之介電特性及損耗量測 |
| 作品名稱（其他語言） | Simple and Ultra Wideband Measurement of Dielectric Property and Loss for the Microwave Substrate Materials |
| 著者 | 李慶烈 |
| 單位 | 淡江大學電機工程學系 |
| 描述 | 計畫編號：NSC94-2213-E032-030 研究期間：200508~200607 研究經費：547,000 |
| 委託單位 | 行政院國家科學委員會 |
| 摘要 | 本計畫將利用各種傳輸線方法來量測決定FR4(fiber glass)及Diclad-880等微波基板材料的介電係數及損耗，使用的傳輸線量測結構包括微帶線及共面波導(CPW)，吾人將建立一套理論分析基礎，只需藉由量測兩段(含)以上的傳輸線的全雙埠S參數，即可精確反推FR4等基板材料的介電係數及損耗，在此同時SMA接頭的效應可以完全的被校正移除(de-embedded)。 一般利用兩段的傳輸線作為量測結構的方法(如L-L、T-L法)，只能量測材料的介電係數，無法量測損耗，而且SMA接頭的效應並未能移除。若要能校正移除SMA接頭的效應，皆須使用三段(含)以上的傳輸線方可達成，至於若要完成寬頻或超寬頻的量測/校正，一般皆須使用多段(muti-line)的傳輸線。 本計畫提出一套克服反推傳播常數時所面臨的多值問題的方法，可以有效解決頻率比的限制，從而進行超寬頻的介電係數量測，且只需兩段傳輸線即可完成(不須multi-line)，甚至可以移除SMA接頭的效應。至於，若要完整校正出SMA接頭效應的[S]參數，則可以再加一段高反射傳輸線(共三段)即可順便完成一般的TRL校正程序。在進行TRL校正SMA接頭的效應之後，吾人將進一步利用遺傳演算法萃取SMA接頭的等效電路模型及其參數。 為了提升量測的精確度，吾人將利用接觸式量測夾具來量測傳輸線的全雙埠S參數以取代焊接，這可以提高連接SMA接頭連接時的重覆性(repeatability)，便於進一步提高校正的精確度。最後，吾人也將比較各種方法的介電係數量測結果，這包括雙線相差法(L-L method)、反射消去法(Reflection cancellation method) 以及環形微帶共振法等等。 |
| 關鍵字 | 介電係數;材料損耗;L-L法;T-L法;Multi-line法;極寬頻量測 |
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| 相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/7604 ) |