期刊論文
| 學年 | 92 |
|---|---|
| 學期 | 1 |
| 出版（發表）日期 | 2004-01-01 |
| 作品名稱 | Density functonal study of XH4 (X =Si and Ge) ractivity upon dissociative adsorption onto Si(100) surface |
| 作品名稱（其他語言） | |
| 著者 | Lin, Jyh-shing; Lee, Lien-Feng |
| 單位 | 淡江大學化學學系 |
| 出版者 | Wiley-Blackwell |
| 著錄名稱、卷期、頁數 | International journal of quantum chemistry 97(2), pp.736-746 |
| 摘要 | |
| 關鍵字 | |
| 語言 | en |
| ISSN | 0020-7608 1097-461X |
| 期刊性質 | 國外 |
| 收錄於 | |
| 產學合作 | |
| 通訊作者 | |
| 審稿制度 | |
| 國別 | USA |
| 公開徵稿 | |
| 出版型式 | 紙本 |
| 相關連結 |
機構典藏連結 ( http://tkuir.lib.tku.edu.tw:8080/dspace/handle/987654321/24916 ) |